En pleno apogeo de las memorias DDR3 utilizadas por las plataformas tanto de Intel como de AMD, el gigante sur-coreano Samsung vuelve a marcar un hito en el desarrollo de memorias RAM y ha anunciado el primer modulo de memoria DDR4 de 4GB la industria. Este modulo DIMM utiliza chips de memorias de 30nm, operan a una velocidad de 2133Mhz con apenas 1.2v y utilizan lo que llaman Pseudo Open Drain (POD) como tecnologia de ahorro de consumo, con esto los módulos DDR4 necesitan tan solo la mitad de corriente eléctrica que las memorias DDR3 para operacines de lectura y escritura de datos.
Por ahora Samsung no ha apurado la adopción de memorias DDR4 por cuanto están muy conformes con las memorias DDR3 a quienes le quedan bastante vigencia aun, sin embargo, tal como ha ocurrido con generaciones anteriores, las memorias DDR4 ofrecerán menores voltajes, menor consumo, menor disipación y mayores velocidades que DDR3, los primeros módulos DDR4 iran en velocidades de 1600Mhz a 3200Mhz, aunque podemos esperar que esas velocidades sean sobrepasadas sin problemas.
Los nuevos módulos DDR4 pueden alcanzar tasas de transferencia de 2.133 gigabits por segundo (Gbps) a 1.2v, comparado con los 1.35 y 1.5v de los módulos DDR3 actuales también con chips fabricados a 30nm y velocidades de 1.6Gbps, incluso en módulos para notebooks el ahorro puede ser de un 40% comparado con módulos DDR3 de 1.5v.
Por ahora no se sabe cuando este tipo de memorias lleguen al mercado, pero por ahora faltan su buen par de años, asi que tranquilos.
Con esto Samsung nuevamente vuelve a marcar un hito en el desarrollo de memorias RAM, algo que ya hizo en 1997 al desarrollar el primer modulo DDR DRAM, luego en el 2001 introdujo las primeras memorias DDR2 DRAM y en el 2005 también anuncio las primeras memorias DDR3 DRAM utilizando un proceso de 80nm, ahora iniciando el 2011 la historia se repite y anuncia los primeros módulos DDR4 con chips de 30nm.
