De la mano de Kingston Technology Company, Inc., el fabricante independiente de productos de memoria Líder en el Mundo, analizamos las memorias mas rápidas del mercado las HyperX® 2133MHz de 1.65 volts.
El kit CL8 de 2133MHz DualChannel de 4GB de Kingston® es el más rápido del mercado para los usuarios profesionales que están listos para llevar sus equipos al siguiente nivel de más alto desempeño y overclocking de memoria.
Hemos obtenido increíbles resultados de todas las memorias Kingston, en especial de este kit de doble canal de alto desempeño. La combinación de Kingston HyperX con las diferentes plataformas Intel-AMD nos brinda a los Gamers o Profesionales un desempeño superior.
Kingston nos ofrece una familia de productos HyperX en diferentes frecuencias para soportar a los usuarios de todos los niveles que queremos aprovechar al máximo nuestros equipos. Las memorias HyperX funcionan a 1.65 volts integrando en los kits de 4GB las frecuencias de 1333, 1600, 2000 y 2133MHz, veamos algunas comparativas.
Kingston ha trabajada con sus socios a nivel mundial, incluyendo Asus, Gigabyte y MSI, para desarrollar memorias que nos ofrezcan el mejor desempeño en nuestras Motherboards, dándonos las soluciones más veloces e innovadoras de hoy en día.
Como todos los productos de KINGSTON, los modulos HyperX se dirigen y se diseñan especificamente para cumplir los requisitos mas exigentes para nuestro mundo Gamer. HyperX DDR3 ofrece velocidades mas rapidas, estados latentes mas bajos, anchuras de banda de datos mas altas y consumo de energia mas bajos. HyperX esta disponible en kits solos y en doble canal (DualChannel) de memoria.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos ocho veces mas rápido, esto nos permite obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR anteriores. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 Gb.
Luego de un tiempo de la aparición de DDR3 al público, creemos ser capaces de aclarar a grandes rasgos los principales puntos que hacen a DDR3 una tecnología diferente a DDR2. La tecnología detrás de los chips DDR3 va más allá que un simple proceso de reducción del tamaño de los transistores que componen los chips, esta nueva tecnología trae consigo una nueva forma de recibir, leer y almacenar los datos, lo que nos lleva directamente a un aumento de rendimiento sin necesariamente disminuir las latencias y aumentar groseramente la frecuencia de las memorias.
DDR3 es una evolución que toma lo mejor de DDR2 y agrega nuevas características, lo que se traduce en una mejora del ancho de banda consumo de energia. Para la transición de DDR3 a DDR2 la frecuencia interna del núcleo de las memorias se mantuvo sin mayores cambios. Sin embargo notamos un gran incremento en el ancho de banda que se logra gracias el bufffer de pre-carga que utiliza DDR3 siendo el mismo de 8 paquetes mientras que DDR2 usa un buffer de 4 paquetes, de esta forma por cada ciclo DDR3 estará procesando 8 paquetes de información que estarán disponibles para el acceso directo de las memorias y así mantener un constante flujo de datos al procesador.
Debido a la forma de administrar los datos de los módulos DDR3 se hace necesario hacer una nivelación de información y tiempos de accesos -característica conocida como MPR (multi-purpose register) – la que por decirlo de una forma, consiste en que la información es repartida a través de un canal de datos que se conecta con los distintos chips de memoria y permite enviar la información según sea necesaria, sin depender de ninguna forma del proceso previo de escritura de información. Además de ser un proceso activo y variable, permite optimizar la lectura de los datos, lo que se traduce en un aumento del ancho de banda de las memorias. También como tecnología completamente innovadora, las memorias DDR3 incorporan un sensor térmico que le permite trabajar bajo dos intervalos de refresco, el primero comprende los 7.8us que trabaja bajo los 85ºC y el intervalo de refresco de 3.9us que trabaja entre 85ºC y 95ºC, esto lepermite a los módulos ralentizar la tasa de refresco y así mantener más de la mitad de la energía suministrada. Esta característica es de especial utilidad para implementaciones que son muy sensibles al uso de energía, como notebooks (aumenta la duración de batería) y Equipos/Servidores (disminuye elconsumo, obtenemos sistemas mejor refrigerados).
Hoy por hoy los módulos de 2133MHz son diseñados para Gamers y Overclockers, para finalizar vamos a colocar la guinda de la torta, los dejamos con una imagen que resume todas las nuevas tecnologías y mejoras que incorporan los módulos DDR3.
http://www.kingston.com/HyperX/Products/khx_ddr3.asp
